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電池保護用MOS管 20P04 SOP-8
電池保護用MOS管 20P04 SOP-8
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:20P04
產品封裝:SOP-8
產品標題:電池保護用MOS管 20P04 SOP-8 PMOS管 低壓國產P溝道MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776


電池保護用MOS管 20P04 SOP-8 PMOS管 低壓國產P溝道MOSFET



電池保護用MOS管 20P04的主要參數:

  • VDS=-40V

  • ID=-20A

  • RDS(ON)<9mΩ@VGS=-10V(Type:7.5mΩ)



電池保護用MOS管 20P04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:-40V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:-20A

  • 漏極電流-脈衝 IDM:-72A

  • 單脈衝雪崩能量 EAS:125mJ

  • 雪崩電流 IAS:50A

  • 總耗散功率 PD:35W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:85℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:3.5℃/W



電池保護用MOS管 20P04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓-40

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=-10V,ID=-20A


7.39
靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-15A


9.312
VGS(th)
柵極開啟電壓-1-1.6-2.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
110
nC
Qgs柵源電荷密度

12.5


Qgd柵漏電荷密度
23
Ciss輸入電容
5295
pF
Coss輸出電容
430
Crss反向傳輸電容
385
td(on)開啟延遲時間
16.8
ns
tr開啟上升時間

10


td(off)關斷延遲時間
65
tf
開啟下降時間
17


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