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30VN+N溝道MOS管 6H03 SOT23-6
30VN+N溝道MOS管 6H03 SOT23-6
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:6H03
產品封裝:SOT23-6
產品標題:30VN+N溝道MOS管 6H03 SOT23-6 雙N溝道MOSFET 30V低壓場效應管
谘詢熱線:0769-89027776


30VN+N溝道MOS管 6H03 SOT23-6 雙N溝道MOSFET 30V低壓場效應管



30VN+N溝道MOS管 6H03的主要參數:

  • VDS=30V

  • ID=6.2A

  • RDS(ON)<35mΩ@VGS=10V(Type:27mΩ)

  • RDS(ON)<38mΩ@VGS=4.5V(Type:29mΩ)



30VN+N溝道MOS管 6H03的應用領域:

  • 電池保護

  • 負載開關

  • UPS 不間斷電源



30VN+N溝道MOS管 6H03的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓30
V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續 (TA=25℃)6.2A
漏極電流-連續 (TA=70℃)3.1
IDM漏極電流-脈衝16
PD總耗散功率 (TA=25℃)1W
RθJA結到環境的熱阻125℃/W
RθJC結到管殼的熱阻80
TSTG存儲溫度-55~+150
TJ工作結溫-55~+150



30VN+N溝道MOS管 6H03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3033
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=4A


2735
靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=3A


2938
靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=3A


3654
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.851.3V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
9.1
nC
Qgs柵源電荷密度

2.1


Qgd柵漏電荷密度
2.8
Ciss輸入電容
507
pF
Coss輸出電容
52
Crss反向傳輸電容
43
td(on)開啟延遲時間
3
ns
tr開啟上升時間

2.8


td(off)關斷延遲時間
25
tf
開啟下降時間
4


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