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200V貼片NMOS管 100N20 TO-263
200V貼片NMOS管 100N20 TO-263
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:100N20
產品封裝:TO-263
產品標題:200V貼片NMOS管 100N20 TO-263 電源管理用MOS管 200V國產MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776


200V貼片NMOS管 100N20 TO-263 電源管理用MOS管 200V國產MOSFET



200V貼片NMOS管 100N20的應用領域:

  • DC/DC 變換

  • 電源管理轉換開關

  • BMS/UPS



200V貼片NMOS管 100N20的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:200V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID (TC=25℃):100A

  • 漏極電流-脈衝 IDM:550A

  • 單脈衝雪崩能量 EAS:2000mJ

  • 雪崩電流 IAS:45A

  • 總耗散功率 PD (TC=25℃):278W

  • 結到環境的熱阻 RθJA:0.45℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:62.5℃/W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃



200V貼片NMOS管 100N20的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


911
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
145
nC
Qgs柵源電荷密度

49


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
10656
pF
Coss輸出電容
389
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

115


td(off)關斷延遲時間
44
tf
開啟下降時間
105


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