低內阻MOS場效應管 100N20 TO-220 插件MOSFET 200VMOS管
低內阻MOS場效應管 100N20的極限參數：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：200V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續 ID (TC=25℃)：100A
漏極電流-脈衝 IDM：550A
單脈衝雪崩能量 EAS：2000mJ
雪崩電流 IAS：45A
總耗散功率 PD (TC=25℃)：278W
結到環境的熱阻 RθJA：0.45℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC：62.5℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結溫 TJ：-55~150℃
低內阻MOS場效應管 100N20的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=20A | 9 | 11 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3.5 | 4.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 145 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 49 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 72 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 10656 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 389 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 16 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 22 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 115 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 44 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 105 |
掃二維碼進入手機網站