宇芯電子可控矽一站式解決方案提供商專注單向可控矽,雙向可控矽,國產可控矽,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » MOS管 » 中低壓MOS管 » N溝道MOS管 100N20 TO-220F

Product Categories
N溝道MOS管 100N20 TO-220F
N溝道MOS管 100N20 TO-220F
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:100N20
產品封裝:TO-220F
產品標題:N溝道MOS管 100N20 TO-220F 塑封場效應管 200VMOS管
谘詢熱線:0769-89027776


N溝道MOS管 100N20 TO-220F 塑封場效應管 200VMOS管



N溝道MOS管 100N20的應用領域:

  • DC/DC 變換

  • 電源管理轉換開關

  • BMS/UPS



N溝道MOS管 100N20的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓200V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TC=25℃)100A
漏極電流-連續(TC=100℃)75
IDM漏極電流-脈衝550
EAS單脈衝雪崩能量2000mJ
IAS雪崩電流45A
PD總耗散功率 TC=25℃278W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJC結到管殼的熱阻62.5℃/W
RθJA結到環境的熱阻0.45



N溝道MOS管 100N20的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓200

V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


911
VGS(th)
柵極開啟電壓23.54.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
145
nC
Qgs柵源電荷密度

49


Qgd柵漏電荷密度
72
Ciss輸入電容
10656
pF
Coss輸出電容
389
Crss反向傳輸電容
16
td(on)開啟延遲時間
22
ns
tr開啟上升時間

115


td(off)關斷延遲時間
44
tf
開啟下降時間
105


Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持:東莞網站建設