12A雙向可控矽 T1235 TO-220A 國產可控矽 T1235 替換BTA12可控矽
12A雙向可控矽 T1235的極限值：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態重複峰值電壓 | 800/1000 | V |
| IT(RMS) | 通態均方根電流 | 12 | A |
| ITSM | 通態不重複浪湧電流 | 120 | |
| I2t | I2t 值 | 78 | A2s |
| dIT/dt | 通態電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 4 | A |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+150 |
12A雙向可控矽 T1235的電特性：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| IGT | 門極觸發電流 | 35 | mA |
| VGT | 門極觸發電壓 | 1.5 | V |
| VGD | 門極不觸發電壓 | 0.2 | |
| IH | 維持電流 | 45 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | 50 | |
擎住電流 II | 70 | ||
| dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | 1000 | V/μs |
| VTM | 通態壓降 | 1.5 | V |
| IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA |
斷態重複峰值電流 VDRM/VRRM,TJ=125℃ | 1 | mA |
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