低壓NMOS管 80N08 TO-263 貼片常用MOS管 80V/80A 大電流MOSFET
低壓NMOS管 80N08的主要參數:
VDS=80V
ID=80A
RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Type:7.5mΩ)
N溝道MOS管 80N08的極限值:
(如無特殊說明,TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS:80V
柵極-源極電壓 VGS:±20V
漏極電流-連續 ID:80A
漏極電流-脈衝 IDM:240A
單脈衝雪崩能量 EAS:361mJ
總耗散功率 PD:130W
存儲溫度 TSTG:-55~150℃
工作結溫 TJ:-55~150℃
結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W
結到管殼的熱阻 RθJC:1℃/W
電源用NMOS管 80N08的電特性:
(如無特殊說明,TJ=25℃)
符號 | 參數 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 80 | 88 | V | |
RDS(ON) | 靜態漏源導通電阻 VGS=10V,ID=40A | 7.5 | 9 | mΩ | |
VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 3 | 4 | V |
IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
Qg | 柵極電荷 | 97 | nC | ||
Qgs | 柵源電荷密度 | 18.5 | |||
Qgd | 柵漏電荷密度 | 38 | |||
Ciss | 輸入電容 | 4162 | pF | ||
Coss | 輸出電容 | 247 | |||
Crss | 反向傳輸電容 | 183 | |||
td(on) | 開啟延遲時間 | 27 | ns | ||
tr | 開啟上升時間 | 20 | |||
td(off) | 關斷延遲時間 | 58 | |||
tf | 開啟下降時間 | 24 |