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低壓NMOS管 80N08 TO-263
低壓NMOS管 80N08 TO-263
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:80N08
產品封裝:TO-263
產品標題:低壓NMOS管 80N08 TO-263 貼片常用MOS管 80V/80A 大電流MOSFET
谘詢熱線:0769-89027776


低壓NMOS管 80N08 TO-263 貼片常用MOS管 80V/80A 大電流MOSFET



低壓NMOS管 80N08的主要參數:

  • VDS=80V

  • ID=80A

  • RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Type:7.5mΩ)



N溝道MOS管 80N08的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:80V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:80A

  • 漏極電流-脈衝 IDM:240A

  • 單脈衝雪崩能量 EAS:361mJ

  • 總耗散功率 PD:130W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:62.5℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:1℃/W



電源用NMOS管 80N08的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓8088
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=40A


7.59
VGS(th)
柵極開啟電壓234V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
97
nC
Qgs柵源電荷密度

18.5


Qgd柵漏電荷密度
38
Ciss輸入電容
4162
pF
Coss輸出電容
247
Crss反向傳輸電容
183
td(on)開啟延遲時間
27
ns
tr開啟上升時間

20


td(off)關斷延遲時間
58
tf
開啟下降時間
24


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