8A國產可控矽 T835 TO-220B 直發器雙向可控矽 T835可控矽替換
8A國產可控矽 T835的特點：
NPNPN 五層結構的矽雙向器件
P 型對通擴散隔離
台麵玻璃鈍化工藝
背麵多層金屬電極
工作結溫高，換向能力強
高電壓變化率 dV/dt
大電流變化率 dI/dt
符合 RoHS 規範
封裝形式：TO-220B
8A國產可控矽 T835的應用領域：
8A國產可控矽 T835的加熱控製器、馬達調速控製器、麻將機、攪拌機、直發器、麵包機等家用電器。
8A國產可控矽 T835的極限參數(TCASE=25℃)：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態重複峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態均方根電流 | 8 | A |
| ITSM | 通態不重複浪湧電流 | 80 | |
| I2t | I2t值 | 36 | A2s |
| dIT/dt | 通態電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 4 | A |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+125 |
8A國產可控矽 T835的電特性：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| IGT | 門極觸發電流 | ≤35 | mA |
| VGT | 門極觸發電壓 | ≤1.3 | V |
| VGD | 門極不觸發電壓 | ≥0.2 | |
| IH | 維持電流 | ≤35 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | ≤50 | |
擎住電流 II | ≤60 | ||
| dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | ≥400 | V/μs |
| VTM | 通態壓降 | ≤1.55 | V |
| IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤10 | μA |
斷態重複峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤1 | mA |
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