宇芯電子可控矽一站式解決方案提供商專注單向可控矽,雙向可控矽,國產可控矽,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 代理產品 » 福斯特半導體 » 中低壓功率MOS管 » 插件低壓MOS管 FIR16P10PG TO-220

Product Categories
插件低壓MOS管 FIR16P10PG TO-220
插件低壓MOS管 FIR16P10PG TO-220
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR16P10PG
產品封裝:TO-220
產品標題:插件低壓MOS管 FIR16P10PG TO-220 低壓場效應管 MOS管替換
谘詢熱線:0769-89027776


插件低壓MOS管 FIR16P10PG TO-220 低壓場效應管 MOS管替換



插件低壓MOS管 FIR16P10PG的應用領域:

  • 筆記本的電源管理

  • DC/DC 轉換

  • 負載開關

  • LCD 顯示逆變器



插件低壓MOS管 FIR16P10PG的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS-100V
柵極-源極電壓VGS±20V

漏極電流-連續 TC=25℃

ID-11A

漏極電流-連續 TC=70℃

-9
漏記電流-脈衝IDM-44
功耗 TC=25℃PD39W
功耗 TC=70℃25
工作結溫TJ
-55~+150



插件低壓MOS管 FIR16P10PG的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=-250μA-100

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=-100V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VDS=0V

±250nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=-250μA-1
-3V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=-10V,ID=-3.6A
160195
VGS=-4.5V,ID=-3.4A
170210
輸入電容CissVDS=-15V,VGS=0V,F=1.0MHz
1240
pF
輸出電容Coss
947
反向傳輸電容Crss
30
開啟延遲時間td(on)VDS=50V,RL=25Ω,RG=1Ω,VGEN=-10V

35
nS
開啟上升時間tr
12
關斷延遲時間td(off)
58
開啟下降時間tf
5
柵極總電荷QgVDD=-50V,ID=-3.6A,VGS=-10V
28
nC
柵極總電荷QgVDD=-50V,ID=-3.6A,VGS=-4.5V
14
柵源電荷密度Qgs
5.3
柵漏電和密度Qgd
5.9



插件低壓MOS管 FIR16P10PG的封裝外形尺寸圖:

image.png


Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持:東莞網站建設