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貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G DFN3X3-8L
貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G DFN3X3-8L
產品品牌:美國福斯特
產品類型:中低壓功率MOS管
產品型號:FIR30N03D3G
產品封裝:DFN3X3-8L
產品標題:貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G DFN3X3-8L增強型場效應管
谘詢熱線:0769-89027776


貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G DFN3X3-8L增強型場效應管



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貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

參數符號數值單位
漏極-源極電壓VDSS30V
柵極-源極電壓VGS±20V

漏極電流-連續

ID30A

漏極電流-連續

TC=100℃

27
漏記電流-脈衝IDM232
單脈衝雪崩能量EAS72mJ
功耗(TC=25℃)PD30W
工作結溫TJ
-55~+150
存儲溫度範圍TSTG-55~+150



貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

參數符號測試條件最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓BVDSSVGS=0V,ID=250μA30

V
零柵壓漏極電流IDSSVDS=30V,VGS=0V

1μA
柵極漏電流IGSSVGS=±20V,VGS=0V

±100nA
柵極開啟電壓VGS(TH)VDS=VGS,ID=250μA1.21.62.2V
靜態漏源導通電阻RDS(ON)VGS=10V,ID=15A
5.76.6
輸入電容CissVDS=15V,VGS=0V,F=1.0MHz
1507
pF
輸出電容Coss
198
反向傳輸電容Crss
196
開啟延遲時間td(on)VDD=15V,ID=15A,RG=6Ω,VGS=10V

5
nS
開啟上升時間tr
25
關斷延遲時間td(off)
19
開啟下降時間tf
12
柵極總電荷QgVDS=15V,ID=15A,VGS=10V
34
nC
柵源電荷密度Qgs
5
柵漏電和密度Qgd
11



貼片低壓N溝道MOS管FIR30N03D3G的封裝外形尺寸圖:

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