100VN溝道MOS管FIR80N10LG TO-252貼片中低壓場效應MOSFET
100VN溝道MOS管FIR80N10LG的極限參數：
（如無特殊說明，Tj=25℃）
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
| 漏極-源極電壓 | VDSS | 100 | V |
| 柵極-源極電壓 | VGS | ±20 | V |
漏極電流-連續 TC=25℃ | ID | 80 | A |
| 漏記電流-脈衝 TC=25℃ | IDM | 160 | |
| 單脈衝雪崩能量 | EAS | 30 | mJ |
| 功耗(TC=25℃) | PD | 72 | W |
| 工作結溫 | TJ | -55~150 | ℃ |
| 存儲溫度範圍 | TSTG | -55~150 |
100VN溝道MOS管FIR80N10LG的電特性：
（如無特殊說明，Tj=25℃）
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
| 漏極-源極擊穿電壓 | BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 100 | V | ||
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| 柵極漏電流 | IGSS | VGS=±20V | ±100 | nA | ||
| 柵極開啟電壓 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 1.8 | 2.5 | V |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=40A | 26 | 35 | mΩ | |
| VGS=4.5V,ID=6A | 40 | |||||
| 輸入電容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,F=1.0MHz | 1190.6 | pF | ||
| 輸出電容 | Coss | 194.6 | ||||
| 反向傳輸電容 | Crss | 4.1 | ||||
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDS=50V,ID=10A,RG=2.2Ω,VGS=10V | 17.8 | nS | ||
| 開啟上升時間 | tr | 3.9 | ||||
| 關斷延遲時間 | td(off) | 33.5 | ||||
| 開啟下降時間 | tf | 3.2 | ||||
| 柵極總電荷 | Qg | VDS=50V,ID=8A,VGS=10V | 19.8 | nC | ||
| 柵源電荷密度 | Qgs | 2.4 | ||||
| 柵漏電和密度 | Qgd | 5.3 |
100VN溝道MOS管FIR80N10LG的封裝外形尺寸圖：
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