宇芯電子可控矽一站式解決方案提供商專注單向可控矽,雙向可控矽,國產可控矽,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » 可控矽 » 雙向可控矽 » 三象限雙向可控矽 BTA08-600TW TO-220A

Product Categories
三象限雙向可控矽 BTA08-600TW TO-220A
三象限雙向可控矽 BTA08-600TW TO-220A
產品品牌:宇芯微
產品類型:雙向可控矽
產品型號:BTA08-600TW
產品封裝:TO-220A
產品標題:三象限雙向可控矽 BTA08-600TW TO-220A 雙向可控矽 可控矽參數
谘詢熱線:0769-89027776


三象限雙向可控矽 BTA08-600TW TO-220A 雙向可控矽 可控矽參數



三象限雙向可控矽 BTA08-600TW的引腳圖:
blob.png



三象限雙向可控矽 BTA08-600TW的特點:

  • NPNPN 五層結構的矽雙向器件

  • P 型對通擴散隔離

  • 台麵玻璃鈍化工藝

  • 背麵多層金屬電極

  • 工作結溫高,換向能力強

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規範

  • 封裝形式:TO-220A



三象限雙向可控矽 BTA08-600TW的應用:

        加熱控製器、調光/調速控製器、洗衣機、攪拌機、果汁機、麵包機、吸塵器等家用電器



三象限雙向可控矽 BTA08-600TW的極限值:

符號參數數值單位
VDRM/VRRM斷態重複峰值電壓600V
IT(RMS)通態均方根電流8A
ITSM通態不重複浪湧電流80
I2tI2t 值36A2s
dIT/dt
通態電流臨界上升率50A/μs
IGM門極峰值電流4A
PG(AV)
門極平均功率1W
TSTG
存儲溫度-40~+150
Tj工作結溫-40~+125



三象限雙向可控矽 BTA08-600TW的電特性:

符號參數數值單位
IGT門極觸發電流≤5mA
VGT門極觸發電壓≤1.3V
VGD門極不觸發電壓≥0.2
IH
維持電流≤10mA
IL
擎住電流 I-III≤10
擎住電流 II≤15
dVD/dt
斷態電壓臨界上升率≥20V/μs
VTM通態壓降≤1.55V
IDRM/IRRM

斷態重複峰值電流

VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃

≤5μA

斷態重複峰值電流

VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃

≤1mA


Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持:東莞網站建設