國產可控矽替換 MCR100-8 SOT-23-3L 貼片晶閘管 微觸發單向可控矽
國產可控矽替換 MCR100-8的產品特征:
PNPN 四層結構的矽單向器件
門極靈敏觸發
P 型對通擴散隔離
台麵玻璃鈍化工藝
背麵多層金屬電極
符合 RoHS 規範
封裝形式:SOT-23-3L
國產可控矽替換 MCR100-8的應用領域:
MCR100-8的單向可控矽應用於:脈衝點火器、負離子發生器、邏輯電路驅動、彩燈控製器、漏電保護器、吸塵器軟啟動等等。
國產可控矽替換 MCR100-8的極限值(TCASE=25℃):
斷態重複峰值電壓 VDRM/VRRM:600/800V
通泰平均電流 IT(AV):0.5A
通態均方根電流 IT(RMS):0.8A
通態不重複浪湧電流 ITSM:8A
I2t值:0.32A2s
通態電流臨界上升率 dIT/dt:50A/μs
門極峰值電流 IGM:0.2A
門極峰值功率 PGM:0.5W
門極平均功率 PG(AV):0.1W
存儲溫度 TSTG:-40~+150℃
工作結溫 Tj:-40~+110℃
國產可控矽替換 MCR100-8的電特性:
符號 | 參數 | 數值 | 單位 | ||
MIN | TYP | MAX | |||
IGT | 門極觸發電流 | 10 | 200 | μA | |
VGT | 門極觸發電壓 | 0.8 | V | ||
VGD | 門極不觸發電壓 | 0.2 | |||
IH | 維持電流 | 3 | mA | ||
IL | 擎住電流 | 4 | |||
dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | 10 | V/μs | ||
VTM | 通態壓降 | 1.5 | V | ||
IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
斷態重複峰值電流 VD=VDRM=VRRM,TJ=111℃ | 100 |