宇芯電子可控矽一站式解決方案提供商專注單向可控矽,雙向可控矽,國產可控矽,高壓可控矽,達林頓芯片等半導體器件的應用服務。
當前位置: 首頁 » 產品中心 » 宇芯微產品 » 可控矽 » 微觸發可控矽 » 國產可控矽替換 MCR100-8 SOT-23-3L

Product Categories
國產可控矽替換 MCR100-8 SOT-23-3L
國產可控矽替換 MCR100-8 SOT-23-3L
產品品牌:宇芯微
產品類型:微觸發可控矽
產品型號:MCR100-8
產品封裝:SOT-23-3L
產品標題:國產可控矽替換 MCR100-8 SOT-23-3L 貼片晶閘管 微觸發單向可控矽
谘詢熱線:0769-89027776


國產可控矽替換 MCR100-8 SOT-23-3L 貼片晶閘管 微觸發單向可控矽



國產可控矽替換 MCR100-8的產品特征:

  • PNPN 四層結構的矽單向器件

  • 門極靈敏觸發

  • P 型對通擴散隔離

  • 台麵玻璃鈍化工藝

  • 背麵多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規範

  • 封裝形式:SOT-23-3L



國產可控矽替換 MCR100-8的應用領域:

        MCR100-8的單向可控矽應用於:脈衝點火器、負離子發生器、邏輯電路驅動、彩燈控製器、漏電保護器、吸塵器軟啟動等等。



國產可控矽替換 MCR100-8的極限值(TCASE=25℃):

  • 斷態重複峰值電壓 VDRM/VRRM:600/800V

  • 通泰平均電流 IT(AV):0.5A

  • 通態均方根電流 IT(RMS):0.8A

  • 通態不重複浪湧電流 ITSM:8A

  • I2t值:0.32A2s

  • 通態電流臨界上升率 dIT/dt:50A/μs

  • 門極峰值電流 IGM:0.2A

  • 門極峰值功率 PGM:0.5W

  • 門極平均功率 PG(AV):0.1W

  • 存儲溫度 TSTG:-40~+150℃

  • 工作結溫 Tj:-40~+110℃



國產可控矽替換 MCR100-8的電特性:

符號
參數數值單位
MINTYPMAX
IGT
門極觸發電流10
200μA
VGT門極觸發電壓

0.8V
VGD門極不觸發電壓0.2

IH維持電流

3mA
IL擎住電流

4
dVD/dt
斷態電壓臨界上升率10

V/μs
VTM通態壓降

1.5V
IDRM/IRRM

斷態重複峰值電流

VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃



5μA

斷態重複峰值電流

VD=VDRM=VRRM,TJ=111℃



100


Product recommendations
*本站相關網頁素材及相關資源均來源互聯網,如有侵權請速告知,我們將會在24小時內刪除*
技術支持:東莞網站建設