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P溝道MOS管 EMF09P02V
P溝道MOS管 EMF09P02V
產品品牌:傑力
產品類型:P溝道MOS管
產品型號:EMF09P02V
產品封裝:EDFN 3X3
產品標題:EMF09P02V EDFN 3X3 -20V電壓 -20A電流 中低壓場效應管
谘詢熱線:0769-89027776


EMF09P02V EDFN 3X3 -20V電壓 -20A電流 中低壓場效應管



EMF09P02V的主要參數:

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EMF09P02V的電特性:

參數符號數值單位
漏極-源極電壓
BVDSS-20V
柵極-源極電壓VGS±8
漏極電流-連續
TA=25℃
ID
-20A
漏極電流-連續
TA=70℃
-15
漏極電流-脈衝IDM-80
雪崩電流IAS-15
雪崩能量EAS11.25mJ
功耗 TA=25℃PD
2.5W
功耗 TA=70℃1.25
結溫和存儲溫度Tj,Tstg-55~+150




EMF09P02V的電特性:

參數符號最小值典型值最大值單位
漏極-源極擊穿電壓
V(BR)DSS
-20

V
柵極開啟電壓
VGS(th)-0.4-0.75-1.2
柵極漏電流
IGSS

±100nA

零柵壓漏極電流

VDS=-16V,VGS=0V

IDSS


-1μA

零柵壓漏極電流

VDS=-12V,VGS=0V,Tj=125℃



-10

靜態漏源導通電阻

VGS=-4.5V,ID=-15A

RDS(ON)

7.89.5

靜態漏源導通電阻

VGS=-2.5V,ID=-8A


10.312.5

靜態漏源導通電阻

VGS=-1.8V,ID=-5A


14.518
正向跨導gfs
32
S
輸入電容
Ciss
7660
pF
輸出電容Coss
596
反向傳輸電容Crss
510
柵源電荷密度Qgs

4.9


nC
柵漏電荷密度Qgd
13


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