大電流單向可控矽 RC1255 TO-247 55A常用可控矽 調速用插件晶閘管
大電流單向可控矽 RC1255的產品特征：
PNPN 四層結構的矽單向器件
P 型對通擴散隔離
台麵玻璃鈍化工藝
背麵多層金屬電極
符合 RoHS 規範
封裝形式：TO-247
大電流單向可控矽 RC1255的應用領域：
RC1255的單向可控矽應用於：電加熱控製、電極調速、交流電開關、交直流逆變等等。
大電流單向可控矽 RC1255的極限值(TCASE=25℃)：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態重複峰值電壓 | 1200/1600 | V |
| IT(RMS) | 通態均方根電流 | 55 | A |
| IT(AV) | 通態平均電流 | 40 | |
| ITSM | 通態不重複浪湧電流 | 520 | |
| I2t | I2t值 | 1350 | A2s |
| dIT/dt | 通態電流臨界上升率 | 100 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 5 | A |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 1 | W |
| Tstg | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+125 |
大電流單向可控矽 RC1255的電特性：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 門極觸發電流 | 5 | 35 | mA | |
| VGT | 門極觸發電壓 | 1.3 | V | ||
| VGD | 門極不觸發電壓 | 0.2 | |||
| IH | 維持電流 | 120 | mA | ||
| IL | 擎住電流 | 150 | |||
| dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | 800 | V/μs | ||
| VTM | 通態壓降 | 1.6 | V | ||
| IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 VD=VDRM=VRRM,TJ=25℃ | 10 | μA | ||
斷態重複峰值電流 VD=VDRM=VRRM,TJ=125℃ | 5 | mA | |||
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