微觸發可控矽 直發器可控矽 X0405M TO-202B 4A單向可控矽替換
直發器可控矽 X0405M的產品特點：
PNPN 四層結構的矽單向器件
門極靈敏觸發
P 型對通擴散隔離
台麵玻璃鈍化工藝
背麵多層金屬電極
符合 RoHS 規範
封裝形式：TO-202B
直發器可控矽 X0405M的應用領域：
脈衝點火器
負離子發生器
邏輯電路驅動
直發器
調光開關
咖啡壺
LED 控製器
直發器可控矽 X0405M的極限值(TCASE=25℃)：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態重複峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態均方根電流 | 4 | A |
| IT(AV) | 通態平均電流 | 2.5 | |
| ITSM | 通態不重複浪湧電流 | 30 | |
| I2t | I2t值 | 4.5 | A2s |
| dIT/dt | 通態電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 1.2 | A |
| PGM | 門極峰值功率 | 1 | W |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 0.2 | |
| Tstg | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+110 |
直發器可控矽 X0405M的電特性：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | ||
| MIN | TYP | MAX | |||
| IGT | 門極觸發電流 | 10 | 200 | μA | |
| VGT | 門極觸發電壓 | 0.65 | 0.8 | V | |
| VGD | 門極不觸發電壓 | 0.2 | |||
| IH | 維持電流 | 5 | mA | ||
| IL | 擎住電流 | 6 | |||
| dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | 10 | V/μs | ||
| VTM | 通態壓降 | 1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | ||
斷態重複峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=110℃ | 150 | ||||
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