國產可控矽 MCR100-8 SOT-89-3L 貼片式微觸發可控矽 0.8A單向可控矽
國產可控矽 MCR100-8的產品應用：
脈衝點火器
負離子發生器
邏輯電路驅動
彩燈控製器
漏電保護器
吸塵器軟啟動...
國產可控矽 MCR100-8的極限值：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態重複峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態均方根電流 | 0.8 | A |
| IT(AV) | 通態平均電流 | 0.5 | |
| ITSM | 通態不重複浪湧電流 | 8 | |
| I2t | I2t值 | 0.32 | A2s |
| dIT/dt | 通態電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 0.2 | A |
| PGM | 門極峰值功率 | 0.5 | W |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 0.1 | |
| Tstg | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結溫 | -40~+110 |
國產可控矽 MCR100-8的電特性：
| 符號 | 參數 | 數值 | 單位 | |
| MIN | MAX | |||
| IGT | 門極觸發電流 | 10 | 200 | μA |
| VGT | 門極觸發電壓 | 0.8 | V | |
| VGD | 門極不觸發電壓 | 0.2 | ||
| IH | 維持電流 | 3 | mA | |
| IL | 擎住電流 | 4 | ||
| dVD/dt | 斷態電壓臨界上升率 | 10 | V/μs | |
| VTM | 通態壓降 | 1.5 | V | |
| IDRM/IRRM | 斷態重複峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | 5 | μA | |
斷態重複峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=110℃ | 100 | |||
掃二維碼進入手機網站